Solo por referencia
Número de parte | FQP2N60C |
LIXINC Part # | FQP2N60C |
Fabricante | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Categoría | semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3 |
Ciclo vital | Activo |
RoHS | Sin información RoHS |
Modelos EDA/CAD | FQP2N60C Huella y símbolo de PCB |
Almacenes | Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong |
Entrega estimada | Jul 03 - Jul 07 2024(Elija envío acelerado) |
Garantía | Hasta 1 año [Garantía limitada]* |
Pago | ![]() |
Envío | ![]() |
Número de parte: | FQP2N60C |
Marca: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Ciclo vital: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoría: | semiconductor discreto |
Subcategoría: | transistores - fets, mosfets - simples |
Fabricante: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
serie: | QFET® |
paquete: | Tube |
estado de la pieza: | Active |
tipo de feto: | N-Channel |
tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss): | 600 V |
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c: | 2A (Tc) |
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado): | 10V |
rds en (máx.) @ id, vgs: | 4.7Ohm @ 1A, 10V |
vgs(th) (máx) @ id: | 4V @ 250µA |
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs: | 12 nC @ 10 V |
vgs (máx.): | ±30V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 235 pF @ 25 V |
característica fet: | - |
disipación de potencia (máx.): | 54W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
paquete de dispositivos del proveedor: | TO-220-3 |
paquete / caja: | TO-220-3 |
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En stock | 11878 - Más sobre el pedido |
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Límite de cotización | Sin límite |
Tiempo de espera | Para ser confirmado |
Mínimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.19000 | $1.19 |
10 | $1.05623 | $10.5623 |
100 | $0.84064 | $84.064 |
500 | $0.65803 | $329.015 |
1000 | $0.52522 | $525.22 |
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