ZXMN6A09KQTC | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) ZXMN6A09KQTC

ZXMN6A09KQTC

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Número de parte	ZXMN6A09KQTC
LIXINC Part #	ZXMN6A09KQTC
Fabricante	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	ZXMN6A09KQTC Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 05 - Jul 09 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

ZXMN6A09KQTC Especificaciones

Número de parte:	ZXMN6A09KQTC
Marca:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
serie:	Automotive, AEC-Q101
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	60 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	11.8A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	40mOhm @ 7.3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	29 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1426 pF @ 30 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	10.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-252, (D-Pak)
paquete / caja:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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