FQD12N20TM_F080 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQD12N20TM_F080

FQD12N20TM_F080

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	FQD12N20TM_F080
LIXINC Part #	FQD12N20TM_F080
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FQD12N20TM_F080 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 05 - Jul 09 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FQD12N20TM_F080 Especificaciones

Número de parte:	FQD12N20TM_F080
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	QFET®
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	200 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	9A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	280mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	23 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	910 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2.5W (Ta), 55W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	D-Pak
paquete / caja:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63