MVB50P03HDLT4G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor MVB50P03HDLT4G

MVB50P03HDLT4G

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Número de parte	MVB50P03HDLT4G
LIXINC Part #	MVB50P03HDLT4G
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	MVB50P03HDLT4G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 21 - Sep 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

MVB50P03HDLT4G Especificaciones

Número de parte:	MVB50P03HDLT4G
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	Automotive, AEC-Q101
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	50A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	25mOhm @ 25A, 5V
vgs(th) (máx) @ id:	2V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	100 nC @ 5 V
vgs (máx.):	±15V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	4.9 nF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	D2PAK-3
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB