2SK3430-Z-E1-AZ | Renesas Electronics America 2SK3430-Z-E1-AZ | 2SK3430-Z-E1-AZ Inventory, Best Pricing

2SK3430-Z-E1-AZ

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Número de parte	2SK3430-Z-E1-AZ
LIXINC Part #	2SK3430-Z-E1-AZ
Fabricante	Renesas Electronics America
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	2SK3430-Z-E1-AZ Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 21 - Sep 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

2SK3430-Z-E1-AZ Especificaciones

Número de parte:	2SK3430-Z-E1-AZ
Marca:	Renesas Electronics America
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Renesas Electronics America
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	40 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	80A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	7.3mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	-
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	50 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	2800 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1.5W (Ta), 84W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220AB
paquete / caja:	TO-220-3