AO4447A_DELTA | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. AO4447A_DELTA

AO4447A_DELTA

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	AO4447A_DELTA
LIXINC Part #	AO4447A_DELTA
Fabricante	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH 30V 18.5A 8SOIC
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	AO4447A_DELTA Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

AO4447A_DELTA Especificaciones

Número de parte:	AO4447A_DELTA
Marca:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	18.5A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	5.8mOhm @ 18.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.2V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	130 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	5020 pF @ 15 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	3.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	8-SOIC
paquete / caja:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)