IRF8252TRPBF-1 | IR (Infineon Technologies) IRF8252TRPBF-1 | IRF8252TRPBF-1 Inventory, Best Pricing

IRF8252TRPBF-1

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	IRF8252TRPBF-1
LIXINC Part #	IRF8252TRPBF-1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 25V 25A 8SO
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IRF8252TRPBF-1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IRF8252TRPBF-1 Especificaciones

Número de parte:	IRF8252TRPBF-1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	25 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	25A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	2.7mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.35V @ 100µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	53 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	5305 pF @ 13 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	8-SO
paquete / caja:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)