TK40P03M1(T6RSS-Q) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK40P03M1(T6RSS-Q) | TK40P03M1(T6RSS-Q) Inventory, Best Pricing

TK40P03M1(T6RSS-Q)

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	TK40P03M1(T6RSS-Q)
LIXINC Part #	TK40P03M1(T6RSS-Q)
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 30V 40A DP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	TK40P03M1(T6RSS-Q) Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

TK40P03M1(T6RSS-Q) Especificaciones

Número de parte:	TK40P03M1(T6RSS-Q)
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	U-MOSVI-H
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	40A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	10.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.3V @ 100µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	17.5 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1150 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	-
Temperatura de funcionamiento:	-
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	DP
paquete / caja:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63