SUM18N25-165-E3 | Vishay / Siliconix SUM18N25-165-E3 | SUM18N25-165-E3 Inventory, Best Pricing

SUM18N25-165-E3

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	SUM18N25-165-E3
LIXINC Part #	SUM18N25-165-E3
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 250V 18A TO263
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	SUM18N25-165-E3 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

SUM18N25-165-E3 Especificaciones

Número de parte:	SUM18N25-165-E3
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Vishay / Siliconix
serie:	TrenchFET®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	250 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	18A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	165mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	45 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1950 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	3.75W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-263 (D2Pak)
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB