SIR812DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIR812DP-T1-GE3 | SIR812DP-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIR812DP-T1-GE3

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Número de parte	SIR812DP-T1-GE3
LIXINC Part #	SIR812DP-T1-GE3
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	SIR812DP-T1-GE3 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

SIR812DP-T1-GE3 Especificaciones

Número de parte:	SIR812DP-T1-GE3
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Vishay / Siliconix
serie:	TrenchFET®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	60A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	1.45mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.3V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	335 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	10240 pF @ 15 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	6.25W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	PowerPAK® SO-8
paquete / caja:	PowerPAK® SO-8