APT94N65B2C3G | Microsemi APT94N65B2C3G | APT94N65B2C3G Inventory, Best Pricing

APT94N65B2C3G

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Número de parte	APT94N65B2C3G
LIXINC Part #	APT94N65B2C3G
Fabricante	Microsemi
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 650V 94A T-MAX
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	APT94N65B2C3G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

APT94N65B2C3G Especificaciones

Número de parte:	APT94N65B2C3G
Marca:	Microsemi
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Microsemi
serie:	CoolMOS™
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	650 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	94A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	35mOhm @ 47A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3.9V @ 5.8mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	580 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	13940 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	833W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	T-MAX™ [B2]
paquete / caja:	TO-247-3 Variant