AON6758_102 | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. AON6758_102

AON6758_102

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	AON6758_102
LIXINC Part #	AON6758_102
Fabricante	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 30V 27A/32A 8DFN
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	AON6758_102 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 16 - Sep 20 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

AON6758_102 Especificaciones

Número de parte:	AON6758_102
Marca:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
serie:	AlphaMOS
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	27A (Ta), 32A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	3.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.4V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	40 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1975 pF @ 15 V
característica fet:	Schottky Diode (Body)
disipación de potencia (máx.):	4.1W (Ta), 41W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	8-DFN (5x6)
paquete / caja:	8-VDFN Exposed Pad