IRFS644BYDTU_AS001

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Número de parte IRFS644BYDTU_AS001
LIXINC Part # IRFS644BYDTU_AS001
Fabricante Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría semiconductor discretotransistores - fets, mosfets - simples
Descripción MOSFET N-CH 250V 14A TO220F
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD IRFS644BYDTU_AS001 Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Sep 20 - Sep 24 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IRFS644BYDTU_AS001 Especificaciones

Número de parte:IRFS644BYDTU_AS001
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:semiconductor discreto
Subcategoría:transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:-
paquete:Tube
estado de la pieza:Obsolete
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):250 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:14A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
rds en (máx.) @ id, vgs:280mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:4V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:60 nC @ 10 V
vgs (máx.):±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:1600 pF @ 25 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):43W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:TO-220F
paquete / caja:TO-220-3 Full Pack

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