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IRFSL9N60ATRR

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Número de parte	IRFSL9N60ATRR
LIXINC Part #	IRFSL9N60ATRR
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 600V 9.2A I2PAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IRFSL9N60ATRR Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 21 - Sep 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IRFSL9N60ATRR Especificaciones

Número de parte:	IRFSL9N60ATRR
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Vishay / Siliconix
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	600 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	9.2A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	750mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	49 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1400 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	I2PAK
paquete / caja:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA