H5N2522LSTL-E | Renesas Electronics America H5N2522LSTL-E | H5N2522LSTL-E Inventory, Best Pricing

H5N2522LSTL-E

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	H5N2522LSTL-E
LIXINC Part #	H5N2522LSTL-E
Fabricante	Renesas Electronics America
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 250V 20A 4LDPAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	H5N2522LSTL-E Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 21 - Sep 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

H5N2522LSTL-E Especificaciones

Número de parte:	H5N2522LSTL-E
Marca:	Renesas Electronics America
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Renesas Electronics America
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	250 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	20A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	180mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	-
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	47 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1300 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	4-LDPAK
paquete / caja:	SC-83