SPW11N60S5FKSA1 | IR (Infineon Technologies) SPW11N60S5FKSA1 | SPW11N60S5FKSA1 Inventory, Best Pricing

SPW11N60S5FKSA1

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	SPW11N60S5FKSA1
LIXINC Part #	SPW11N60S5FKSA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	SPW11N60S5FKSA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 07 - Jul 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

SPW11N60S5FKSA1 Especificaciones

Número de parte:	SPW11N60S5FKSA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	CoolMOS™
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	600 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	11A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	380mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	5.5V @ 500µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	54 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1460 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TO247-3
paquete / caja:	TO-247-3