BSS159NL6327HTSA1 | IR (Infineon Technologies) BSS159NL6327HTSA1 | BSS159NL6327HTSA1 Inventory, Best Pricing

BSS159NL6327HTSA1

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Número de parte	BSS159NL6327HTSA1
LIXINC Part #	BSS159NL6327HTSA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BSS159NL6327HTSA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 26 - Sep 30 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BSS159NL6327HTSA1 Especificaciones

Número de parte:	BSS159NL6327HTSA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	SIPMOS®
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	60 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	230mA (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	0V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	3.5Ohm @ 160mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.4V @ 26µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	2.9 nC @ 5 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	44 pF @ 25 V
característica fet:	Depletion Mode
disipación de potencia (máx.):	360mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	SOT-23-3
paquete / caja:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3