2SK3462(TE16L1,NQ) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SK3462(TE16L1,NQ) | 2SK3462(TE16L1,NQ) Inventory, Best Pricing

2SK3462(TE16L1,NQ)

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Número de parte	2SK3462(TE16L1,NQ)
LIXINC Part #	2SK3462(TE16L1,NQ)
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	2SK3462(TE16L1,NQ) Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 26 - Sep 30 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

2SK3462(TE16L1,NQ) Especificaciones

Número de parte:	2SK3462(TE16L1,NQ)
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	250 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	3A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	1.7Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3.5V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	12 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	267 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	20W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	PW-MOLD
paquete / caja:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63