BSP295E6327T | IR (Infineon Technologies) BSP295E6327T | BSP295E6327T Inventory, Best Pricing

BSP295E6327T

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	BSP295E6327T
LIXINC Part #	BSP295E6327T
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BSP295E6327T Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 28 - Oct 02 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BSP295E6327T Especificaciones

Número de parte:	BSP295E6327T
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	SIPMOS®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	60 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	1.8A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	300mOhm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	1.8V @ 400µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	17 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	368 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-SOT223-4
paquete / caja:	TO-261-4, TO-261AA