IPB120N06S4H1ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPB120N06S4H1ATMA1 | IPB120N06S4H1ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB120N06S4H1ATMA1

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Número de parte	IPB120N06S4H1ATMA1
LIXINC Part #	IPB120N06S4H1ATMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IPB120N06S4H1ATMA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 29 - Oct 03 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IPB120N06S4H1ATMA1 Especificaciones

Número de parte:	IPB120N06S4H1ATMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Discontinued at Digi-Key
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	60 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	120A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	2.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 200µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	270 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	21900 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TO263-3-2
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB