PHU66NQ03LT,127 | NXP Semiconductors PHU66NQ03LT,127 | PHU66NQ03LT,127 Inventory, Best Pricing

PHU66NQ03LT,127

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Número de parte	PHU66NQ03LT,127
LIXINC Part #	PHU66NQ03LT,127
Fabricante	NXP Semiconductors
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 25V 66A IPAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	PHU66NQ03LT,127 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

PHU66NQ03LT,127 Especificaciones

Número de parte:	PHU66NQ03LT,127
Marca:	NXP Semiconductors
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	NXP Semiconductors
serie:	TrenchMOS™
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	25 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	66A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	10.5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	12 nC @ 5 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	860 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	93W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	I-PAK
paquete / caja:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA