TK50E08K3,S1X(S | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK50E08K3,S1X(S

TK50E08K3,S1X(S

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Número de parte	TK50E08K3,S1X(S
LIXINC Part #	TK50E08K3,S1X(S
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 75V 50A TO220-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	TK50E08K3,S1X(S Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

TK50E08K3,S1X(S Especificaciones

Número de parte:	TK50E08K3,S1X(S
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Last Time Buy
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	75 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	50A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	-
rds en (máx.) @ id, vgs:	12mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	-
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	55 nC @ 10 V
vgs (máx.):	-
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	-
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	-
Temperatura de funcionamiento:	-
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220-3
paquete / caja:	TO-220-3