PHB193NQ06T,118 | NXP Semiconductors PHB193NQ06T,118 | PHB193NQ06T,118 Inventory, Best Pricing

PHB193NQ06T,118

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Número de parte	PHB193NQ06T,118
LIXINC Part #	PHB193NQ06T,118
Fabricante	NXP Semiconductors
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	PHB193NQ06T,118 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 03 - Jul 07 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

PHB193NQ06T,118 Especificaciones

Número de parte:	PHB193NQ06T,118
Marca:	NXP Semiconductors
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	NXP Semiconductors
serie:	TrenchMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	55 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	75A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	85.6 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	5082 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	D2PAK
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB