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EPC2010

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Número de parte	EPC2010
LIXINC Part #	EPC2010
Fabricante	EPC
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	GANFET N-CH 200V 12A DIE
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	EPC2010 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 09 - Oct 13 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

EPC2010 Especificaciones

Número de parte:	EPC2010
Marca:	EPC
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	EPC
serie:	eGaN®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Discontinued at Digi-Key
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	GaNFET (Gallium Nitride)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	200 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	12A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	25mOhm @ 6A, 5V
vgs(th) (máx) @ id:	2.5V @ 3mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	7.5 nC @ 5 V
vgs (máx.):	+6V, -4V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	540 pF @ 100 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	-
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	Die
paquete / caja:	Die