IPI045N10N3GXK | IR (Infineon Technologies) IPI045N10N3GXK | IPI045N10N3GXK Inventory, Best Pricing

IPI045N10N3GXK

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Número de parte	IPI045N10N3GXK
LIXINC Part #	IPI045N10N3GXK
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 100V 137A TO262-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IPI045N10N3GXK Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 09 - Oct 13 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IPI045N10N3GXK Especificaciones

Número de parte:	IPI045N10N3GXK
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™ 3
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	100 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	137A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	6V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	4.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3.5V @ 150µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	117 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	8410 pF @ 50 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	214W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TO262-3
paquete / caja:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA