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CSD16323Q3C

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Número de parte	CSD16323Q3C
LIXINC Part #	CSD16323Q3C
Fabricante	Texas Instruments
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8SON
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	CSD16323Q3C Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

CSD16323Q3C Especificaciones

Número de parte:	CSD16323Q3C
Marca:	Texas Instruments
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Texas Instruments
serie:	NexFET™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	25 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	21A (Ta), 60A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	3V, 8V
rds en (máx.) @ id, vgs:	4.5mOhm @ 24A, 8V
vgs(th) (máx) @ id:	1.4V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	8.4 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	+10V, -8V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1300 pF @ 12.5 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	8-SON-EP (3x3)
paquete / caja:	8-PowerTDFN