SSM3J307T(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM3J307T(TE85L,F) | SSM3J307T(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

SSM3J307T(TE85L,F)

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Número de parte	SSM3J307T(TE85L,F)
LIXINC Part #	SSM3J307T(TE85L,F)
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH 20V 5A TSM
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	SSM3J307T(TE85L,F) Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 21 - Sep 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

SSM3J307T(TE85L,F) Especificaciones

Número de parte:	SSM3J307T(TE85L,F)
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	U-MOSV
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	5A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	1.5V, 4.5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	31mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	1V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	19 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±8V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1170 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	TSM
paquete / caja:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3