VS-GT80DA120U | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-GT80DA120U

VS-GT80DA120U

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Número de parte	VS-GT80DA120U
LIXINC Part #	VS-GT80DA120U
Fabricante	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoría	semiconductor discreto › transistores - igbts - módulos
Descripción	IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	VS-GT80DA120U Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 06 - Oct 10 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

VS-GT80DA120U Especificaciones

Número de parte:	VS-GT80DA120U
Marca:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - igbts - módulos
Fabricante:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	HEXFRED®
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo igbt:	Trench
configuración:	Single
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	1200 V
corriente - colector (ic) (max):	139 A
potencia - máx.:	658 W
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	2.55V @ 15V, 80A
corriente - corte del colector (máx.):	100 µA
capacitancia de entrada (cies) @ vce:	4.4 nF @ 25 V
aporte:	Standard
termistor ntc:	No
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Chassis Mount
paquete / caja:	SOT-227-4, miniBLOC
paquete de dispositivos del proveedor:	SOT-227