FZ800R33KF2CS1NDSA1 | Rochester Electronics FZ800R33KF2CS1NDSA1 | FZ800R33KF2CS1NDSA1 Inventory, Best Pricing

FZ800R33KF2CS1NDSA1

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Número de parte	FZ800R33KF2CS1NDSA1
LIXINC Part #	FZ800R33KF2CS1NDSA1
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - igbts - módulos
Descripción	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FZ800R33KF2CS1NDSA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FZ800R33KF2CS1NDSA1 Especificaciones

Número de parte:	FZ800R33KF2CS1NDSA1
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - igbts - módulos
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo igbt:	-
configuración:	Half Bridge
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	3.3 V
corriente - colector (ic) (max):	1 A
potencia - máx.:	9.6 W
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	4.25V @ 15V, 800A
corriente - corte del colector (máx.):	5 mA
capacitancia de entrada (cies) @ vce:	100 nF @ 25 V
aporte:	Standard
termistor ntc:	No
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 125°C
Tipo de montaje:	Chassis Mount
paquete / caja:	Module
paquete de dispositivos del proveedor:	-