F3L200R07W2S5FB11BOMA1 | IR (Infineon Technologies) F3L200R07W2S5FB11BOMA1 | F3L200R07W2S5FB11BOMA1 Inventory, Best Pricing

F3L200R07W2S5FB11BOMA1

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Número de parte	F3L200R07W2S5FB11BOMA1
LIXINC Part #	F3L200R07W2S5FB11BOMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - igbts - módulos
Descripción	IGBT MODULE LOW POWER EASY
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	F3L200R07W2S5FB11BOMA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

F3L200R07W2S5FB11BOMA1 Especificaciones

Número de parte:	F3L200R07W2S5FB11BOMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - igbts - módulos
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Active
tipo igbt:	-
configuración:	-
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	-
corriente - colector (ic) (max):	-
potencia - máx.:	-
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	-
corriente - corte del colector (máx.):	-
capacitancia de entrada (cies) @ vce:	-
aporte:	-
termistor ntc:	-
Temperatura de funcionamiento:	-
Tipo de montaje:	-
paquete / caja:	-
paquete de dispositivos del proveedor:	-