A1P35S12M3-F | STMicroelectronics A1P35S12M3-F | A1P35S12M3-F Inventory, Best Pricing

A1P35S12M3-F

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Número de parte	A1P35S12M3-F
LIXINC Part #	A1P35S12M3-F
Fabricante	STMicroelectronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - igbts - módulos
Descripción	IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK1
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	A1P35S12M3-F Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

A1P35S12M3-F Especificaciones

Número de parte:	A1P35S12M3-F
Marca:	STMicroelectronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - igbts - módulos
Fabricante:	STMicroelectronics
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Active
tipo igbt:	Trench Field Stop
configuración:	Three Phase Inverter
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	1200 V
corriente - colector (ic) (max):	35 A
potencia - máx.:	250 W
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	2.45V @ 15V, 35A
corriente - corte del colector (máx.):	100 µA
capacitancia de entrada (cies) @ vce:	2154 pF @ 25 V
aporte:	Standard
termistor ntc:	Yes
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Chassis Mount
paquete / caja:	Module
paquete de dispositivos del proveedor:	ACEPACK™ 1