NXH25C120L2C2SG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NXH25C120L2C2SG

NXH25C120L2C2SG

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Número de parte	NXH25C120L2C2SG
LIXINC Part #	NXH25C120L2C2SG
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - igbts - módulos
Descripción	IGBT MODULE, CIB 1200 V, 25 A IG
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NXH25C120L2C2SG Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NXH25C120L2C2SG Especificaciones

Número de parte:	NXH25C120L2C2SG
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - igbts - módulos
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo igbt:	-
configuración:	Three Phase Inverter with Brake
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	1200 V
corriente - colector (ic) (max):	25 A
potencia - máx.:	20 mW
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 25A
corriente - corte del colector (máx.):	250 µA
capacitancia de entrada (cies) @ vce:	6.2 nF @ 20 V
aporte:	Three Phase Bridge Rectifier
termistor ntc:	Yes
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
paquete de dispositivos del proveedor:	26-DIP