FD150R12RT4HOSA1 | Rochester Electronics FD150R12RT4HOSA1 | FD150R12RT4HOSA1 Inventory, Best Pricing

FD150R12RT4HOSA1

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Número de parte	FD150R12RT4HOSA1
LIXINC Part #	FD150R12RT4HOSA1
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - igbts - módulos
Descripción	FD150R12 - IGBT MODULE
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FD150R12RT4HOSA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FD150R12RT4HOSA1 Especificaciones

Número de parte:	FD150R12RT4HOSA1
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - igbts - módulos
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	C
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo igbt:	Trench Field Stop
configuración:	Single Chopper
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	1.2 V
corriente - colector (ic) (max):	150 A
potencia - máx.:	790 W
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	2.15V @ 15V, 150A
corriente - corte del colector (máx.):	1 mA
capacitancia de entrada (cies) @ vce:	9.3 nF @ 25 V
aporte:	Standard
termistor ntc:	No
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Chassis Mount
paquete / caja:	Module
paquete de dispositivos del proveedor:	Module