FS75R12W2T4BOMA1 | IR (Infineon Technologies) FS75R12W2T4BOMA1 | FS75R12W2T4BOMA1 Inventory, Best Pricing

FS75R12W2T4BOMA1

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Número de parte	FS75R12W2T4BOMA1
LIXINC Part #	FS75R12W2T4BOMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - igbts - módulos
Descripción	IGBT MOD 1200V 107A 375W
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FS75R12W2T4BOMA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FS75R12W2T4BOMA1 Especificaciones

Número de parte:	FS75R12W2T4BOMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - igbts - módulos
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Active
tipo igbt:	Trench Field Stop
configuración:	Full Bridge
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	1200 V
corriente - colector (ic) (max):	107 A
potencia - máx.:	375 W
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	2.15V @ 15V, 75A
corriente - corte del colector (máx.):	1 mA
capacitancia de entrada (cies) @ vce:	4.3 nF @ 25 V
aporte:	Standard
termistor ntc:	Yes
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C
Tipo de montaje:	Chassis Mount
paquete / caja:	Module
paquete de dispositivos del proveedor:	Module

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