FP50R06W2E3B11BOMA1 | IR (Infineon Technologies) FP50R06W2E3B11BOMA1 | FP50R06W2E3B11BOMA1 Inventory, Best Pricing

FP50R06W2E3B11BOMA1

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	FP50R06W2E3B11BOMA1
LIXINC Part #	FP50R06W2E3B11BOMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - igbts - módulos
Descripción	IGBT MODULE 600V 65A 175W
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FP50R06W2E3B11BOMA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 08 - Jul 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FP50R06W2E3B11BOMA1 Especificaciones

Número de parte:	FP50R06W2E3B11BOMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - igbts - módulos
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo igbt:	Trench Field Stop
configuración:	Three Phase Inverter
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	600 V
corriente - colector (ic) (max):	65 A
potencia - máx.:	175 W
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	1.9V @ 15V, 50A
corriente - corte del colector (máx.):	1 mA
capacitancia de entrada (cies) @ vce:	3.1 nF @ 25 V
aporte:	Standard
termistor ntc:	Yes
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C
Tipo de montaje:	Chassis Mount
paquete / caja:	Module
paquete de dispositivos del proveedor:	Module