A1P50S65M2-F | STMicroelectronics A1P50S65M2-F | A1P50S65M2-F Inventory, Best Pricing

A1P50S65M2-F

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Número de parte	A1P50S65M2-F
LIXINC Part #	A1P50S65M2-F
Fabricante	STMicroelectronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - igbts - módulos
Descripción	IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	A1P50S65M2-F Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

A1P50S65M2-F Especificaciones

Número de parte:	A1P50S65M2-F
Marca:	STMicroelectronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - igbts - módulos
Fabricante:	STMicroelectronics
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Active
tipo igbt:	Trench Field Stop
configuración:	Three Phase Inverter
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	650 V
corriente - colector (ic) (max):	50 A
potencia - máx.:	208 W
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	2.3V @ 15V, 50A
corriente - corte del colector (máx.):	100 µA
capacitancia de entrada (cies) @ vce:	4.15 nF @ 25 V
aporte:	Standard
termistor ntc:	Yes
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Chassis Mount
paquete / caja:	Module
paquete de dispositivos del proveedor:	ACEPACK™ 1