DF200R12KE3HOSA1 | IR (Infineon Technologies) DF200R12KE3HOSA1 | DF200R12KE3HOSA1 Inventory, Best Pricing

DF200R12KE3HOSA1

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	DF200R12KE3HOSA1
LIXINC Part #	DF200R12KE3HOSA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - igbts - módulos
Descripción	IGBT MODULE 1200V 1040W
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	DF200R12KE3HOSA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

DF200R12KE3HOSA1 Especificaciones

Número de parte:	DF200R12KE3HOSA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - igbts - módulos
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo igbt:	-
configuración:	Single
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	1200 V
corriente - colector (ic) (max):	-
potencia - máx.:	1040 W
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	2.15V @ 15V, 200A
corriente - corte del colector (máx.):	5 mA
capacitancia de entrada (cies) @ vce:	14 nF @ 25 V
aporte:	Standard
termistor ntc:	No
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 125°C
Tipo de montaje:	Chassis Mount
paquete / caja:	Module
paquete de dispositivos del proveedor:	Module