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APTGV50H120T3G

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Número de parte	APTGV50H120T3G
LIXINC Part #	APTGV50H120T3G
Fabricante	Microsemi
Categoría	semiconductor discreto › transistores - igbts - módulos
Descripción	IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	APTGV50H120T3G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

APTGV50H120T3G Especificaciones

Número de parte:	APTGV50H120T3G
Marca:	Microsemi
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - igbts - módulos
Fabricante:	Microsemi
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo igbt:	NPT, Trench Field Stop
configuración:	Full Bridge Inverter
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	1200 V
corriente - colector (ic) (max):	75 A
potencia - máx.:	270 W
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 50A
corriente - corte del colector (máx.):	250 µA
capacitancia de entrada (cies) @ vce:	3.6 nF @ 25 V
aporte:	Standard
termistor ntc:	Yes
Temperatura de funcionamiento:	-
Tipo de montaje:	Chassis Mount
paquete / caja:	SP3
paquete de dispositivos del proveedor:	SP3