RGTV60TK65DGVC11 | ROHM Semiconductor RGTV60TK65DGVC11 | RGTV60TK65DGVC11 Inventory, Best Pricing

RGTV60TK65DGVC11

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Número de parte	RGTV60TK65DGVC11
LIXINC Part #	RGTV60TK65DGVC11
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - igbts - simple
Descripción	650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	RGTV60TK65DGVC11 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 29 - Oct 03 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

RGTV60TK65DGVC11 Especificaciones

Número de parte:	RGTV60TK65DGVC11
Marca:	ROHM Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - igbts - simple
Fabricante:	ROHM Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo igbt:	Trench Field Stop
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	650 V
corriente - colector (ic) (max):	33 A
corriente - colector pulsado (icm):	120 A
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	1.9V @ 15V, 30A
potencia - máx.:	76 W
energía de conmutación:	570µJ (on), 500µJ (off)
tipo de entrada:	Standard
carga de la puerta:	64 nC
td (encendido/apagado) @ 25°c:	33ns/105ns
condición de prueba:	400V, 30A, 10Ohm, 15V
tiempo de recuperación inversa (trr):	95 ns
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-3PFM, SC-93-3
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-3PFM

APT50GF120LRG	IGBT 1200V 135A 781W TO264	977 Más sobre el pedido
IRGS4607DPBF	IGBT WITH RECOVERY DIODE	26725 Más sobre el pedido
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RJH1CM5DPQ-E0#T2	IGBT, 30A, 1200V, N-CHANNEL, TO-	1394 Más sobre el pedido
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IXXX300N60B3	IGBT 600V 550A 2300W TO247	1500 Más sobre el pedido
STGB15M65DF2	TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE	908 Más sobre el pedido
AUIRGS30B60K	IGBT, 78A I(C), 600V V(BR)CES, N	1042 Más sobre el pedido
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