NGTB35N60FL2WG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NGTB35N60FL2WG

NGTB35N60FL2WG

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Número de parte	NGTB35N60FL2WG
LIXINC Part #	NGTB35N60FL2WG
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - igbts - simple
Descripción	IGBT TRENCH/FS 600V 70A TO247
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NGTB35N60FL2WG Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 29 - Oct 03 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NGTB35N60FL2WG Especificaciones

Número de parte:	NGTB35N60FL2WG
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - igbts - simple
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo igbt:	Trench Field Stop
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	600 V
corriente - colector (ic) (max):	70 A
corriente - colector pulsado (icm):	120 A
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	2V @ 15V, 35A
potencia - máx.:	300 W
energía de conmutación:	840µJ (on), 280µJ (off)
tipo de entrada:	Standard
carga de la puerta:	125 nC
td (encendido/apagado) @ 25°c:	72ns/132ns
condición de prueba:	400V, 35A, 10Ohm, 15V
tiempo de recuperación inversa (trr):	68 ns
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-247-3
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-247

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