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STGW80H65DFB

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Número de parte	STGW80H65DFB
LIXINC Part #	STGW80H65DFB
Fabricante	STMicroelectronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - igbts - simple
Descripción	IGBT 650V 120A 469W TO-247
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	STGW80H65DFB Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 08 - Jul 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

STGW80H65DFB Especificaciones

Número de parte:	STGW80H65DFB
Marca:	STMicroelectronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - igbts - simple
Fabricante:	STMicroelectronics
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo igbt:	Trench Field Stop
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	650 V
corriente - colector (ic) (max):	120 A
corriente - colector pulsado (icm):	240 A
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	2V @ 15V, 80A
potencia - máx.:	469 W
energía de conmutación:	2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
tipo de entrada:	Standard
carga de la puerta:	414 nC
td (encendido/apagado) @ 25°c:	84ns/280ns
condición de prueba:	400V, 80A, 10Ohm, 15V
tiempo de recuperación inversa (trr):	85 ns
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-247-3
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-247

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