FGD3N60UNDF | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FGD3N60UNDF

FGD3N60UNDF

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Número de parte	FGD3N60UNDF
LIXINC Part #	FGD3N60UNDF
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - igbts - simple
Descripción	IGBT 600V 6A 60W DPAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FGD3N60UNDF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 11 - Sep 15 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FGD3N60UNDF Especificaciones

Número de parte:	FGD3N60UNDF
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - igbts - simple
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo igbt:	NPT
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	600 V
corriente - colector (ic) (max):	6 A
corriente - colector pulsado (icm):	9 A
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	2.52V @ 15V, 3A
potencia - máx.:	60 W
energía de conmutación:	52µJ (on), 30µJ (off)
tipo de entrada:	Standard
carga de la puerta:	1.6 nC
td (encendido/apagado) @ 25°c:	5.5ns/22ns
condición de prueba:	400V, 3A, 10Ohm, 15V
tiempo de recuperación inversa (trr):	21 ns
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-252, (D-Pak)