IGW75N65H5XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IGW75N65H5XKSA1 | IGW75N65H5XKSA1 Inventory, Best Pricing

IGW75N65H5XKSA1

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Número de parte	IGW75N65H5XKSA1
LIXINC Part #	IGW75N65H5XKSA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - igbts - simple
Descripción	IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IGW75N65H5XKSA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IGW75N65H5XKSA1 Especificaciones

Número de parte:	IGW75N65H5XKSA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - igbts - simple
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	TrenchStop™
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo igbt:	Trench
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	650 V
corriente - colector (ic) (max):	120 A
corriente - colector pulsado (icm):	300 A
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 75A
potencia - máx.:	395 W
energía de conmutación:	2.25mJ (on), 950µJ (off)
tipo de entrada:	Standard
carga de la puerta:	160 nC
td (encendido/apagado) @ 25°c:	28ns/174ns
condición de prueba:	400V, 75A, 8Ohm, 15V
tiempo de recuperación inversa (trr):	-
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-247-3
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TO247-3

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