GT30J121(Q) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation GT30J121(Q)

GT30J121(Q)

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Número de parte	GT30J121(Q)
LIXINC Part #	GT30J121(Q)
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - igbts - simple
Descripción	IGBT 600V 30A 170W TO3PN
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	GT30J121(Q) Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

GT30J121(Q) Especificaciones

Número de parte:	GT30J121(Q)
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - igbts - simple
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	*
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo igbt:	-
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	600 V
corriente - colector (ic) (max):	30 A
corriente - colector pulsado (icm):	60 A
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	2.45V @ 15V, 30A
potencia - máx.:	170 W
energía de conmutación:	1mJ (on), 800µJ (off)
tipo de entrada:	Standard
carga de la puerta:	-
td (encendido/apagado) @ 25°c:	90ns/300ns
condición de prueba:	300V, 30A, 24Ohm, 15V
tiempo de recuperación inversa (trr):	-
Temperatura de funcionamiento:	-
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-3P-3, SC-65-3
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-3P(N)

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