RGTVX6TS65GC11 | ROHM Semiconductor RGTVX6TS65GC11 | RGTVX6TS65GC11 Inventory, Best Pricing

RGTVX6TS65GC11

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	RGTVX6TS65GC11
LIXINC Part #	RGTVX6TS65GC11
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - igbts - simple
Descripción	650V 80A FIELD STOP TRENCH IGBT
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	RGTVX6TS65GC11 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

RGTVX6TS65GC11 Especificaciones

Número de parte:	RGTVX6TS65GC11
Marca:	ROHM Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - igbts - simple
Fabricante:	ROHM Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo igbt:	Trench Field Stop
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	650 V
corriente - colector (ic) (max):	144 A
corriente - colector pulsado (icm):	320 A
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	1.9V @ 15V, 80A
potencia - máx.:	404 W
energía de conmutación:	2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
tipo de entrada:	Standard
carga de la puerta:	171 nC
td (encendido/apagado) @ 25°c:	45ns/201ns
condición de prueba:	400V, 80A, 10Ohm, 15V
tiempo de recuperación inversa (trr):	-
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-247-3
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-247N