NGTG20N60L2TF1G | Rochester Electronics NGTG20N60L2TF1G | NGTG20N60L2TF1G Inventory, Best Pricing

NGTG20N60L2TF1G

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Número de parte	NGTG20N60L2TF1G
LIXINC Part #	NGTG20N60L2TF1G
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - igbts - simple
Descripción	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NGTG20N60L2TF1G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 09 - Oct 13 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NGTG20N60L2TF1G Especificaciones

Número de parte:	NGTG20N60L2TF1G
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - igbts - simple
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	*
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo igbt:	-
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	-
corriente - colector (ic) (max):	-
corriente - colector pulsado (icm):	-
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	-
potencia - máx.:	-
energía de conmutación:	-
tipo de entrada:	-
carga de la puerta:	-
td (encendido/apagado) @ 25°c:	-
condición de prueba:	-
tiempo de recuperación inversa (trr):	-
Temperatura de funcionamiento:	-
Tipo de montaje:	-
paquete / caja:	-
paquete de dispositivos del proveedor:	-

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