IRG8P50N120KD-EPBF | Rochester Electronics IRG8P50N120KD-EPBF | IRG8P50N120KD-EPBF Inventory, Best Pricing

IRG8P50N120KD-EPBF

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Número de parte	IRG8P50N120KD-EPBF
LIXINC Part #	IRG8P50N120KD-EPBF
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - igbts - simple
Descripción	IRG8P50N120 - DISCRETE IGBT WITH
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IRG8P50N120KD-EPBF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 09 - Oct 13 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IRG8P50N120KD-EPBF Especificaciones

Número de parte:	IRG8P50N120KD-EPBF
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - igbts - simple
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo igbt:	-
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	1.2 V
corriente - colector (ic) (max):	80 A
corriente - colector pulsado (icm):	105 A
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	2V @ 15V, 35A
potencia - máx.:	350 W
energía de conmutación:	2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
tipo de entrada:	Standard
carga de la puerta:	315 nC
td (encendido/apagado) @ 25°c:	35ns/190ns
condición de prueba:	600V, 35A, 5Ohm, 15V
tiempo de recuperación inversa (trr):	170 ns
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-247-3
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-247AD

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