FGP10N60UNDF | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FGP10N60UNDF

FGP10N60UNDF

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Número de parte	FGP10N60UNDF
LIXINC Part #	FGP10N60UNDF
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - igbts - simple
Descripción	IGBT NPT 600V 20A TO220-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FGP10N60UNDF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FGP10N60UNDF Especificaciones

Número de parte:	FGP10N60UNDF
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - igbts - simple
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo igbt:	NPT
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	600 V
corriente - colector (ic) (max):	20 A
corriente - colector pulsado (icm):	30 A
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	2.45V @ 15V, 10A
potencia - máx.:	139 W
energía de conmutación:	150µJ (on), 50µJ (off)
tipo de entrada:	Standard
carga de la puerta:	37 nC
td (encendido/apagado) @ 25°c:	8ns/52.2ns
condición de prueba:	400V, 10A, 10Ohm, 15V
tiempo de recuperación inversa (trr):	37.7 ns
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-220-3
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220-3

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