2SK208-Y(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SK208-Y(TE85L,F) | 2SK208-Y(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

2SK208-Y(TE85L,F)

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Número de parte	2SK208-Y(TE85L,F)
LIXINC Part #	2SK208-Y(TE85L,F)
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - jfets
Descripción	JFET N-CH 50V S-MINI
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	2SK208-Y(TE85L,F) Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 19 - Oct 23 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

2SK208-Y(TE85L,F) Especificaciones

Número de parte:	2SK208-Y(TE85L,F)
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - jfets
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tensión - avería (v(br)gss):	50 V
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	-
corriente - drenaje (idss) @ vds (vgs=0):	1.2 mA @ 10 V
consumo de corriente (id) - máx.:	6.5 mA
voltaje - corte (vgs off) @ id:	400 mV @ 100 nA
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	8.2pF @ 10V
resistencia - rds (encendido):	-
potencia - máx.:	100 mW
Temperatura de funcionamiento:	125°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
paquete de dispositivos del proveedor:	S-Mini

SMMBF4393LT1G	JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3	1021 Más sobre el pedido
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PN4093	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	7085 Más sobre el pedido
2SK879-GR(TE85L,F)	JFET N-CH 0.1W USM	3999 Más sobre el pedido
MMBF4392LT1G	JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3	21415 Más sobre el pedido
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MMBFJ113	JFET N-CH 35V 350MW SOT23	26733 Más sobre el pedido
NTE457	JFET-N-CH GEN PURP AMP/SW	1339 Más sobre el pedido
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TF414T5G	JFET N-CH 40V SOT883	24025 Más sobre el pedido