J113_D26Z | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor J113_D26Z

J113_D26Z

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Número de parte	J113_D26Z
LIXINC Part #	J113_D26Z
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - jfets
Descripción	JFET N-CH 35V 625MW TO92
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	J113_D26Z Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 19 - Sep 23 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

J113_D26Z Especificaciones

Número de parte:	J113_D26Z
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - jfets
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tensión - avería (v(br)gss):	35 V
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	-
corriente - drenaje (idss) @ vds (vgs=0):	2 mA @ 15 V
consumo de corriente (id) - máx.:	-
voltaje - corte (vgs off) @ id:	500 mV @ 1 µA
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	-
resistencia - rds (encendido):	100 Ohms
potencia - máx.:	625 mW
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-92-3